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在通讯领域中使用的Flash
作者：胤灏(编译) 发表日期：2002-5-6
关键字：器件
Flash ST
全球大约在10部手机中，有4部使用了ST的器件。
ST的先进结构的Flash存储器具有独特的低压技术，是基于标准的和原有的NOR存储阵列结构的方式。新的Flash，单片封装中已包含了Flash和SRAM两种类型的存储器。
主要特性
高密度
- 高达64Mbit，可以为移动电话增加更多、更大的应用程序
低电压
- 可达1.8V。节能和延长电池的寿命
快速的寻址时间
- 具有Burst能力。用于高的带宽要求和快速的计算能力
双区
- 使得读/写两种操作可以同时进行，允许EEPROM模拟
可以用于通讯领域的Flash
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容量 |
型号 |
描述 |
封装 |
应用 |
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8Mb |
M28W800CT |
8Mb(x16),90-100nS,low
latency,顶部Boot区 |
TSOP48,TFBGA45 |
蜂窝电话，网络产品 |
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M28W800CB |
8Mb(x16),90-100nS,low
latency,底部Boot区 |
TSOP48,TFBGA45 |
蜂窝电话，网络产品 |
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M59DR008E |
8Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区 |
TSOP48,TFBGA48 |
蜂窝电话 |
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M59DR008F |
8Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区 |
TSOP48,TFBGA48 |
蜂窝电话 |
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16Mb |
M28W160CT |
16Mb(x16),90-100nS,low
latency,顶部Boot区 |
TSOP48,TFBGA46 |
蜂窝电话，网络产品 |
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M28W160CB |
16Mb(x16),90-100nS,low
latency,底部Boot区 |
TSOP48,TFBGA46 |
蜂窝电话，网络产品 |
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32Mb |
M28W320CT |
32Mb(x16),90-100nS,low
latency,顶部Boot区 |
TSOP48,TFBGA47 |
蜂窝电话，网络产品 |
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M28W320CB |
32Mb(x16),90-100nS,low
latency,底部Boot区 |
TSOP48,TFBGA47 |
蜂窝电话，网络产品 |
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M59DR032A |
32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区 |
TSOP48,TFBGA48 |
蜂窝电话 |
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M59DR032B |
32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区 |
TSOP48,TFBGA48 |
蜂窝电话 |
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M59MR032C |
32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,顶部Boot区 |
µBGA46 |
蜂窝电话 |
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M59MR032D |
32Mb(x16),100-35nS,双区(4+4Mb),页模式,底部Boot区 |
µBGA46 |
蜂窝电话 |
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“DR”-
Dual Bank/Page Mode
“DR”或者Dual
Bank/Page Mode产品是用于1.8V操作电压范围的应用。但在12V的编程电压条件下，可以获得更快的编程和擦除速度。
DR器件的主要特性：
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x16位的总线
双区结构
页模式，4字，寻址速度可达35nS
在1.8V时的随机寻址时的速度为100nS
双字编程速度为10µS
支持公共Flash接口
64位保密代码存储
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8Mbit |
32Mbit |
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型号 |
M59DR008E,F |
M59DR032E,F |
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Boot区 |
E=Top,
F=Bottom |
E=Top,
F=Bottom |
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区 |
4+4Mb |
4+28Mb |
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总线 |
x16 |
x16 |
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“ MR"
- 复用(Mutilplexed)
“MR”或Dual
Bank/Burst Mode和Multiplexed产品大概是当今全球最先进的Flash存储器了。它结合了Burst
Mode和地址/数据复用两种特性，以简化管脚数量和实现引脚的小型化。
MR器件的主要特性：
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x16位的总线
双区结构
快速的12V编程和擦除
地址/数据复用
Burst模式，4字，寻址速度可达35nS
在1.8V时的随机寻址时的速度为100nS
Burst模式，同步寻址，可配置burst在54MHz
双字编程速度为10µS
支持公共Flash接口
64位保密代码存储
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32Mbit
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型号 |
M59MR032C,D
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Boot区 |
C=Top,
D=Bottom |
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区 |
8+24Mb
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总线 |
x16
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更新时间：06-09-24
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